Poudre de carbure de silicium bêta de haute pureté 4N 5N 2 μm 5 μm 10 μm
La poudre de carbure de silicium β (β-SiC) de haute pureté (4N, 5N) de granulométrie 2 μm, 5 μm et 10 μm est composée de carbure de silicium en phase β d’une pureté supérieure ou égale à 5N. Le carbure de silicium cubique en phase β possède une structure cristalline cubique 3C et sa morphologie cristalline unique lui confère une dureté proche de celle du diamant (dureté Mohs de 9,5 à 9,75). Cette poudre de carbure de silicium β de haute pureté est produite par des procédés de thermodurcissabilité à haute température et de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Le produit se caractérise par une pureté élevée, une forte teneur en phase β, une granulométrie contrôlable, une excellente aptitude au frittage et une bonne dispersibilité. Par ailleurs, le carbure de silicium cubique possède d’excellentes propriétés physico-chimiques, telles qu’une conductivité thermique élevée, une vitesse de dérive des électrons élevée, une mobilité électronique élevée, une résistance à la corrosion et une bonne résistance aux chocs thermiques. Il est largement utilisé dans les industries aérospatiale, des céramiques de pointe, des batteries pour énergies nouvelles, du traitement de surface et des semi-conducteurs.
Caractéristiques de performance de la poudre de carbure de silicium bêta de haute pureté 4N 5N 2μm 5μm 10μm :
- Haute pureté, avec une pureté du produit atteignant 5N ou plus.
- Teneur en phase cubique jusqu’à 99 %, forme cristalline de phase β pure.
- Morphologie : Particules sphériques avec une large gamme de tailles sélectionnables.
- Faible teneur en oxygène, inférieure à 0,3 %.
- Bonne activité de frittage et dispersion facile.
- Excellente résistance aux hautes températures, à l’usure, à la corrosion et aux chocs thermiques.
Indices physiques de la poudre de carbure de silicium bêta de haute pureté : 4N, 5N, 2 µm, 5 µm, 10 µm
| structure cristalline | Cubique |
| Phase cristalline | b |
| teneur en β | ≥99% |
| Point de fusion | 2700° |
| température de décomposition | 2830°±40° |
| coefficient de dilatation thermique | 2,5-7 x10 -6 /°C |
| conductivité thermique | 0,255 W/cm K |
| Dureté Mohs | 9,5-9,75 |
| Dureté Vickers (microdureté) | 3300-3500 kg/mm² |
| Densité relative | 3,216 g/cm³ |
Spécial.
| Spécial. | Taille | Pureté du SiC (%) | β pourcentage | Forme |
| 5N-βSiC-100nm | 100 nm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-300nm | 300 nm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-500nm | 500 nm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-2um | 2 µm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-5um | 5 µm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-10 µm | 10 µm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-10 µm | 50 µm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 7N-βSiC-G | 1-10 mm | 7N | ≥99% | Particule |
Application de la poudre de carbure de silicium bêta de haute pureté 4N 5N 2μm 5μm 10μm
- Broyage fin
- Céramiques de carbure de silicium de précision
- batteries à énergie nouvelle
- semi-conducteurs
- Revêtements spéciaux
- Matériaux haute température
- Composants électroniques
