Fabricant chinois de nanopoudre de carbure de silicium 4N
Un fabricant chinois de nanopoudre de carbure de silicium 4N fournit une nanopoudre de carbure de silicium de haute pureté, disponible en différentes granulométries (500 nm, 300 nm, 100 nm, etc.). Il s’agit de carbure de silicium en phase β d’une pureté supérieure ou égale à 5N. Le carbure de silicium cubique en phase β possède une structure cristalline cubique 3C et sa morphologie cristalline unique lui confère une dureté proche de celle du diamant (dureté Mohs de 9,5 à 9,75). Cette poudre de carbure de silicium β de haute pureté est produite par des procédés de thermodurcissabilité à haute température et de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Le produit se caractérise par une pureté élevée, une forte teneur en phase β, une granulométrie contrôlable, une excellente aptitude au frittage et une bonne dispersibilité. Par ailleurs, le carbure de silicium cubique possède d’excellentes propriétés physico-chimiques, telles qu’une conductivité thermique élevée, une vitesse de dérive des électrons élevée, une mobilité électronique élevée, une résistance à la corrosion et une bonne résistance aux chocs thermiques. Il est largement utilisé dans les secteurs de l’aérospatiale, de la céramique haut de gamme, des batteries pour énergies nouvelles, du traitement de surface et des semi-conducteurs.
Caractéristiques de performance de la nanopoudre de carbure de silicium 4N (Fabricant chinois) :
- Haute pureté, avec une pureté du produit atteignant 5N ou plus.
- Teneur en phase cubique jusqu’à 99 %, forme cristalline de phase β pure.
- Morphologie : Particules sphériques avec une large gamme de tailles sélectionnables.
- Faible teneur en oxygène, inférieure à 0,3 %.
- Bonne activité de frittage et dispersion facile.
- Excellente résistance aux hautes températures, à l’usure, à la corrosion et aux chocs thermiques.
Indice physique de la nanopoudre de carbure de silicium 4N (fabricant chinois)
| structure cristalline | Cubique |
| Phase cristalline | b |
| teneur en β | ≥99% |
| Point de fusion | 2700° |
| température de décomposition | 2830°±40° |
| coefficient de dilatation thermique | 2,5-7 x10 -6 /°C |
| conductivité thermique | 0,255 W/cm K |
| Dureté Mohs | 9,5-9,75 |
| Dureté Vickers (microdureté) | 3300-3500 kg/mm² |
| Densité relative | 3,216 g/cm³ |
Spécial.
| Spécial. | Taille | Pureté du SiC (%) | β pourcentage | Forme |
| 5N-βSiC-100nm | 100 nm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-300nm | 300 nm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-500nm | 500 nm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-2um | 2 µm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-5um | 5 µm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-10 µm | 10 µm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-10 µm | 50 µm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 7N-βSiC-G | 1-10 mm | 7N | ≥99% | Particule |
Application de la nanopoudre de carbure de silicium 4N (fabricant chinois)
- Broyage fin
- Céramiques de carbure de silicium de précision
- batteries à énergie nouvelle
- semi-conducteurs
- Revêtements spéciaux
- Matériaux haute température
- Composants électroniques
FAQ :
Q : Quel est le rendement en nanopoudre de β-SiC que vous pouvez produire ?
A : Nous pouvons produire de la nanopoudre de carbure de silicium à 99 %, 99,9 %, 99,99 %.
Q : Quel est le procédé de fabrication de la nanopoudre de SiC que vous utilisez ?
A : Nous produisons de la nanopoudre de carbure de silicium par procédé CVD.
