Poudre de SiC 5N Carbure de silicium bêta cubique 100 nm 300 nm 500 nm
Le carbure de silicium bêta de haute pureté est un carbure de silicium de phase bêta d’une pureté supérieure ou égale à 5N. Le carbure de silicium cubique de phase bêta possède une structure cristalline cubique 3C et sa morphologie cristalline unique lui confère une dureté proche de celle du diamant, avec une dureté Mohs de 9,5 à 9,75. La poudre de carbure de silicium bêta de haute pureté est produite par des procédés de thermodurcissabilité à haute température et de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ce produit se caractérise par une pureté élevée, une forte teneur en phase bêta, une granulométrie contrôlable, une excellente aptitude au frittage et une bonne dispersibilité. Par ailleurs, le carbure de silicium cubique possède d’excellentes propriétés physico-chimiques, telles qu’une conductivité thermique élevée, une vitesse de dérive électronique élevée, une mobilité électronique élevée, une résistance à la corrosion et une bonne résistance aux chocs thermiques. Il est largement utilisé dans les industries aérospatiale, des céramiques de pointe, des batteries pour énergies nouvelles, du traitement de surface et des semi-conducteurs.
Caractéristiques de performance de la poudre de SiC 5N (carbure de silicium bêta cubique) :
- Haute pureté, avec une pureté du produit atteignant 5N ou plus.
- Teneur en phase cubique jusqu’à 99 %, forme cristalline de phase β pure.
- Morphologie : Particules sphériques avec une large gamme de tailles sélectionnables.
- Faible teneur en oxygène, inférieure à 0,3 %.
- Bonne activité de frittage et dispersion facile.
- Excellente résistance aux hautes températures, à l’usure, à la corrosion et aux chocs thermiques.
Indice physique
| structure cristalline | Cubique |
| Phase cristalline | b |
| teneur en β | ≥99% |
| Point de fusion | 2700° |
| température de décomposition | 2830°±40° |
| coefficient de dilatation thermique | 2,5-7 x10 -6 /°C |
| conductivité thermique | 0,255 W/cm K |
| Dureté Mohs | 9,5-9,75 |
| Dureté Vickers (microdureté) | 3300-3500 kg/mm² |
| Densité relative | 3,216 g/cm³ |
Spécial.
| Spécial. | Taille | Pureté du SiC (%) | β pourcentage | Forme |
| 5N-βSiC-100nm | 100 nm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-300nm | 300 nm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-500nm | 500 nm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-2um | 2 µm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-5um | 5 µm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-10 µm | 10 µm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 5N-βSiC-10 µm | 50 µm | 5N | ≥99% | sous-sphérique |
| 7N-βSiC-G | 1-10 mm | 7N | ≥99% | Particule |
Application
- Broyage fin
- Céramiques de carbure de silicium de précision
- batteries à énergie nouvelle
- semi-conducteurs
- Revêtements spéciaux
- Matériaux haute température
- Composants électroniques
