SiC noir 50 µm 40 µm pour céramiques en carbure de silicium
Le carbure de silicium noir (SiC noir), également appelé carborundum, est un matériau abrasif et structural synthétique présentant une dureté élevée, une excellente conductivité thermique et une grande stabilité chimique. Broyé en particules fines de 50 µm et 40 µm, il constitue une matière première essentielle à la fabrication de céramiques de carbure de silicium haute performance, une catégorie de céramiques techniques largement utilisées dans les secteurs de l’aérospatiale, de l’automobile, de l’électronique et de l’énergie.
Propriétés du carbure de silicium noir SiC 50 µm 40 µm pour céramiques :
- Le carbure de silicium présente une excellente stabilité chimique à haute température et une grande résistance à la corrosion. Ses performances sont très stables à des températures inférieures à 1000 °C. Au-delà de cette température, une couche de dioxyde de silicium se forme à sa surface, préservant ainsi ses propriétés physico-chimiques. Sa résistance à l’oxydation ne diminue qu’à partir de 1627 °C.
- Conductivité thermique supérieure. La conductivité thermique du carbure de silicium à température ambiante est de 60 à 200 W/(m·K). La conductivité thermique théorique du carbure de silicium pur est de 490 W/(m·K), supérieure à celle de la plupart des aciers, du cuivre et de l’aluminium. La conductivité thermique des pièces en céramique de carbure de silicium est de 120 à 170 W/(m·K).
- Le carbure de silicium présente un coefficient de dilatation thermique et une résistance aux chocs thermiques inférieurs. À une température de 25 à 1400 °C, le coefficient de dilatation thermique moyen du carbure de silicium est de 4,4 x 10⁻⁶/°C, ce qui est inférieur à celui des matériaux réfractaires à base d’oxyde d’aluminium.
- Le carbure de silicium présente une dureté, une ténacité et une résistance à l’usure élevées. Sa dureté Mohs est de 9,2 à 9,3 pour le carbure de silicium noir et de 9,4 à 9,5 pour le carbure de silicium vert. Sa dureté Vickers est de 3 100 à 3 400 kg/mm². La dureté du carbure de silicium diminue avec l’augmentation de la température. À 1 200 °C, elle peut atteindre le double de celle de l’oxyde d’aluminium.
- Haute ténacité. La ténacité des abrasifs en carbure de silicium désigne leur résistance à l’écrasement sous l’effet de forces extérieures. À titre d’exemple, pour une granulométrie de 46 mesh, la ténacité mesurée par pression statique est d’environ 68 à 78 %. La résistance mécanique du carbure de silicium est supérieure à celle du corindon. Par exemple, pour une granulométrie de 120 mesh, la résistance à la compression du carbure de silicium est de 186 kN/cm², contre 100 kN/cm² pour le corindon.
- Granulométrie uniforme. La distribution granulométrique est étroite, avec une bonne fluidité et une bonne dispersibilité.
- Haute pureté. Faible teneur en carbone libre et faible taux d’impuretés.
SiC noir 50 µm 40 µm pour applications en céramique de carbure de silicium :
- Céramiques en carbure de silicium liées par réaction, pièces d’usure en céramique
- Joints en carbure de silicium
- Filtre en carbure de silicium pour fonderie
- pièces en céramique du catalyseur trois voies DPF
- Céramiques en mousse
- buse de désulfuration en carbure de silicium
| ANALYSE CHIMIQUE TYPIQUE | |
| SiC | ≥98% |
| SiO2 | ≤1% |
| H2O3 | ≤0,5% |
| Fe2O3 | ≤0,3% |
| FC | ≤0,3% |
| Contenu magnétique | ≤0,02% |
| PROPRIÉTÉS PHYSIQUES TYPIQUES | |
| Dureté: | Mohs : 9,2 |
| Point de fusion: | dissocié à environ 2300 °C |
| Température maximale de service : | 1900℃ |
| Densité relative : | 3,2-3,45 g/ cm³ |
| Masse volumique apparente (LPD) : | 1,2 à 1,6 g/cm3 (selon la taille) |
| Couleur: | Noir |
| Forme des particules : | Hexagonal |
| Module d’élasticité | 58-65×10 6 psi |
| Coefficient de dilatation thermique | 3,9-4,5 x10-6 /℃ |
| Conductivité thermique | 71-130 W/MK |
Tailles disponibles :
| Granulométrie JIS | D0 (Micron) | D3 (Micron) | D50 (Micron) | D94 (Micron) |
| 240# | ≤ 127 | ≤ 103 | 57,0±3,0 | ≥ 40 |
| 280# | ≤ 112 | ≤ 87 | 48,0±3,0 | ≥ 33 |
| 320# | ≤ 98 | ≤ 74 | 40,0±2,5 | ≥ 27 |
| 360# | ≤ 86 | ≤ 66 | 35,0±2,0 | ≥ 23 |
| 400# | ≤ 75 | ≤ 58 | 30,0±2,0 | ≥ 20 |
| 500# | ≤ 63 | ≤ 50 | 25,0±2,0 | ≥ 16 |
| 600# | ≤ 53 | ≤ 41 | 20,0±1,5 | ≥ 13 |
| 700# | ≤ 45 | ≤ 37 | 17,0±1,5 | ≥ 11 |
| 800# | ≤ 38 | ≤ 31 | 14,0±1,0 | ≥ 9,0 |
| 1000# | ≤ 32 | ≤ 27 | 11,5 ± 1,0 | ≥ 7.0 |
| 1200# | ≤ 27 | ≤ 23 | 9,5±0,8 | ≥ 5,5 |
| 1500# | ≤ 23 | ≤ 20 | 8,0±0,6 | ≥ 4,5 |
| 2000# | ≤ 19 | ≤ 17 | 6,7±0,6 | ≥ 4.0 |
| 2500# | ≤ 16 | ≤ 14 | 5,5±0,5 | ≥ 3.0 |
| 3000# | ≤ 13 | ≤ 11 | 4,0±0,5 | ≥ 2.0 |
| 4000# | ≤ 11 | ≤ 8.0 | 3,0±0,4 | ≥ 1,8 |
SiC noir 50 µm 40 µm pour la production de céramiques en carbure de silicium :
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SiC noir 50 µm 40 µm pour céramiques en carbure de silicium :
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