Poudre de carbure de silicium à 99,99 % 0,2 μm 0,5 μm 1 μm
La poudre de carbure de silicium à 99,99 % est une poudre de SiC de haute pureté, obtenue par ablation par aérosol. Le carbure de silicium nanométrique se caractérise par une surface spécifique élevée, une résistance mécanique et une dureté élevées, des propriétés chimiques stables, un faible coefficient de dilatation thermique et une bonne conductivité thermique. Il est largement utilisé dans les nanomatériaux, les poudres fines, les céramiques spéciales et les matériaux composites.
Caractéristiques:
- Carbure de silicium de haute pureté. La pureté de la nanopoudre de SiC est supérieure à 99 %, et une teneur en carbure de silicium de 99 % à 99,99 % (poudre de SiC 3N 4N) est disponible.
- La poudre de carbure de silicium nanométrique présente une finesse élevée et peut être produite avec une granulométrie allant de 30 nm à 500 nm. Il est également possible de produire sur mesure du carbure de silicium nanométrique de qualité broyante avec une distribution granulométrique étroite.
- Les poudres α-SiC et β-SiC peuvent toutes deux être personnalisées et produites selon les besoins.
- La poudre de carbure de silicium nano présente des propriétés chimiques stables et une haute résistance à la corrosion à haute température et aux solvants acides et alcalins.
- Le carbure de silicium nanométrique possède une dureté élevée et une résistance à l’usure supérieure.
- La nanopoudre de SiC possède une largeur de bande interdite élevée, ainsi que des caractéristiques de champ électrique de claquage critique élevées et une conductivité thermique élevée.
Indice technique de la poudre de Nano SiC :
| structure cristalline | Cubique | Hexagonal |
| Phase cristalline | b | un |
| Point de fusion | 2700° | 2400° |
| température de décomposition | 2830°±40° | dissocier à 2600° |
| coefficient de dilatation thermique | 2,5-7 x10 -6 /°C | 7-9 x10 -6 /°C |
| conductivité thermique | 0,255 W/cm K | 0,410 W/cm K |
| Dureté Mohs | 9,5-9,75 | 9,4-9,5 |
| Dureté Vickers (microdureté) | 3300-3500 kg/mm² | 3200-3400 kg/mm² |
| Bande interdite | 2,2 eV | 2,86 eV |
| Permittivité relative | 9,72 e | 9,66-10,03 ans |
| Mobilité électronique | >1000 | 460 |
Indice ICP :
| Cu (ppm) | 7 |
| Fe (ppm) | 5 |
| Cr (ppm) | 1 |
| Ni (ppm) | 6 |
| Co (ppm) | 5 |
| Zn (ppm) | 3 |
| Al (ppm) | 2 |
| Mg (ppm) | 3 |
| Na (ppm) | 1 |
| W(ppm) | 1 |
| V (ppm) | 4 |
| FC (ppm) | 50 |
| N (ppm) | 5 |
Spécifications de la poudre de carbure de silicium à 99,99 % :
50 nm, 200 nm, 500 nm, 1 µm, etc.
Application:
- Poudres de meulage et de polissage de pointe, notamment dans le domaine des semi-conducteurs.
- Matières premières pour outils de rectification de précision.
- Charges résistantes à l’usure pour les matériaux en nylon modifié, les plastiques techniques, le caoutchouc, etc.
- Céramiques fonctionnelles avancées et céramiques structurales spéciales.
- Additifs pour revêtements résistants à l’usure, revêtements en poudre et nano-revêtements.
- Composants matériels électriques.
- Matériaux réfractaires haute performance.
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