Poudre de SiC nano à 99-99,99 % 10 000#, 20 000#, 30 000#
Poudre de SiC nano à 99-99,99 % 10 000 # 20 000 # 30 000 # désigne une poudre extra-fine dont la taille des particules est nanométrique. La pureté du SiC peut atteindre 99 % et 99,99 %. Le processus de production du carbure de silicium nano est différent de la méthode Acheson, mais il est synthétisé par des réactions chimiques. La poudre de SiC nano présente les caractéristiques d’une résistance élevée, d’une dureté élevée et d’une pureté élevée. Elle est largement utilisée dans les domaines des nanomatériaux, des poudres de broyage, des céramiques spéciales, des matériaux composites, etc.
Caractéristiques de la poudre de SiC nano à 99-99,99 %
- Carbure de silicium de haute pureté. La pureté de la poudre de carbure de silicium nano est supérieure à 99 %, et le SiC de pureté de 99 % à 99,99 % est disponible avec une production personnalisée.
- La poudre de carbure de silicium nano a une haute précision et peut être produite de 30 nm à 500 nm.
- Des poudres SiC alpha et SiC bêta personnalisées sont disponibles selon les besoins.
- La poudre Nano SiC présente des propriétés chimiques stables et une résistance élevée à la corrosion à haute température et aux solvants alcalins acides.
- La poudre de carbure de silicium nano présente une dureté élevée et une résistance à l’usure supérieure.
- La poudre Nano SiC présente une bande interdite élevée, ainsi que des caractéristiques de champ électrique de claquage critique élevées et une conductivité thermique élevée.
Index technique de la poudre Nano SiC :
| structure cristalline | Cubique | Hexagonal |
| Phase cristalline | b | un |
| Point de fusion | 2700° | 2400° |
| Température de décomposition | 2830°±40° | Dissociation à 2600° |
| Coefficient de dilatation thermique | 2,5-7 x10 -6 /°C | 7-9 x10 -6 /°C |
| Conductivité thermique | 0,255 W/cmK | 0,410 W/cmK |
| Dureté Mohs | 9,5-9,75 | 9,4-9,5 |
| Dureté Vickers (microdureté) | 3300-3500kg/mm2 | 3200-3400kg/mm2 |
| Intervalle de bande | 2,2 eV | 2,86 eV |
| Permittivité relative | 9,72 e | 9h66-10h03e |
| Mobilité des électrons | >1000 | 460 |
Caractéristiques:
| Spéc. | Taille moyenne des particules | Teneur en SiC | Phrase | Couleur |
| β-SiC50nm | 50 nm | 99% / 99,9% / 99,99% | β-SiC | Vert foncé |
| β-SiC80nm | 80 nm | 99% / 99,9% / 99,99% | β-SiC | Vert foncé |
| β-SiC150nm | 150 nm | 99% / 99,9% / 99,99% | β-SiC | Vert foncé |
| β-SiC500nm | 500 nm | 99% / 99,9% / 99,99% | β-SiC | Gris vert |
| β-SiC700nm | 700 nm | 99% / 99,9% / 99,99% | β-SiC | Gris vert |
| β-SiC800nm | 800 nm | 99% / 99,9% / 99,99% | β-SiC | Gris vert |
| β-SiC1um | 1 um | 99% / 99,9% / 99,99% | β-SiC | Vert |
| β-SiC3um | 3um | 99% / 99,9% / 99,99% | β-SiC | Vert |
| β-SiC5um | 5um | 99% / 99,9% / 99,99% | β-SiC | Vert |
| β-SiC8um | 20 heures | 99% / 99,9% / 99,99% | β-SiC | Vert |
| β-SiC10um | 10 µm | 99% / 99,9% / 99,99% | β-SiC | Vert |
| α-SiC500nm | 500 nm | 99% / 99,9% | α-SiC | Gris vert |
| α-SiC700nm | 700 nm | 99% / 99,9% | α-SiC | Gris vert |
| α-SiC800nm | 800 nm | 99% / 99,9% | α-SiC | Gris vert |
| α-SiC1um | 1 um | 99% / 99,9% | α-SiC | Vert jaune |
| α-SiC3um | 3um | 99% / 99,9% | α-SiC | Vert jaune |
| α-SiC5um | 5um | 99% / 99,9% | α-SiC | Vert jaune |
| α-SiC8um | 20 heures | 99% / 99,9% | α-SiC | Vert jaune |
| α-SiC10um | 10 µm | 99% / 99,9% | α-SiC | Vert jaune |
*D’autres spécifications personnalisées sont disponibles sur demande.
Scénarios d’application :
- Poudres de meulage et de polissage avancées, notamment dans l’industrie des semi-conducteurs.
- Matériaux nano-composites tels que résines modifiées, revêtements en carbure de silicium nano, etc.
- Supercondensateurs.
- Catalyseurs et matériaux absorbants
- Matériaux d’impression 3D
- Matériaux réfractaires à hautes performances
- Matériaux céramiques industriels avancés spéciaux
- Semi-conducteurs à large bande interdite de troisième génération
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