Résistance en carbure de silicium noir lavé à l’eau F100 pour semi-conducteurs

carbure de silicium noir lavé à l’eau F100 pour résistances en carbure de silicium semi-conducteur

Le carbure de silicium noir lavé à l’eau F100 est un sable fin de carbure de silicium obtenu par fusion à haute température, concassage, lavage acide et alcalin, et purification progressive. Il répond aux exigences des résistances en carbure de silicium pour semi-conducteurs (varistances/résistances magnétisantes). Ses nombreux avantages : pureté élevée et faible teneur en impuretés, propriétés électriques contrôlables, grande stabilité thermique, structure dense, résistance aux intempéries et durabilité.

I. Haute pureté et faible teneur en impuretés, performances électriques stables

– Haute pureté. Après lavage à l’eau et purification, teneur en SiC ≥99%, carbone libre (FC) ≤0,2%, oxyde de fer (Fe₂O₃) ≤0,4% et impuretés métalliques extrêmement faibles.

– Faible teneur en impuretés et propriétés électriques contrôlées. Une grande partie des impuretés magnétiques, telles que le fer et l’aluminium, sont éliminées, réduisant ainsi le courant de fuite et évitant la corrosion électrochimique localisée. Les caractéristiques de résistance non linéaire de la vanne sont plus stables, avec une tension résiduelle plus faible et un temps de réponse plus rapide.

– Cohérence des lots. Les procédés de lavage à l’eau et de calibrage garantissent une granulométrie concentrée (125–150 μm) et des particules propres, sans agglomération. Il en résulte une faible dispersion de la résistivité et une grande homogénéité des lots.

II. Caractéristiques des semi-conducteurs contrôlables, excellente réponse des varistances

– Semiconducteur à large bande interdite. Le carbure de silicium noir possède intrinsèquement des caractéristiques de varistance non linéaires ; sa résistance diminue rapidement lors de changements brusques du champ électrique, absorbant avec précision les surtensions et assurant une protection fiable contre les surtensions.

– Adaptabilité de la taille des particules 100#. Les particules grossières (125–150 μm) forment un réseau conducteur stable, équilibrant la capacité de conduction de la vanne et la tension nominale de tenue, convenant au moulage de vannes à résistance moyenne et haute tension.

– Résistivité réglable. La pureté et la taille des particules contrôlables permettent une résistivité de la vanne réglable (10¹~10⁵Ω·cm), s’adaptant aux dispositifs de protection de différents niveaux de tension.

III. Conductivité thermique élevée + stabilité thermique élevée, forte dissipation de chaleur et résistance à la température

– Conductivité thermique élevée. Conductivité thermique d’environ 490 W/(m·K) (3 fois celle du silicium, 1,5 fois celle du cuivre), dissipant rapidement la chaleur des surtensions, empêchant la défaillance thermique de la plaque de soupape et prolongeant la durée de vie.

– Résistance aux hautes températures. Point de fusion 2250℃, température de fonctionnement à long terme jusqu’à 1900℃, les propriétés électriques/mécaniques ne se dégradent pas à haute température, convient aux applications à haute température et haute fréquence.

– Faible dilatation thermique. Faible coefficient de dilatation thermique, moins sujet aux fissures et aux déformations sous l’effet des différences de température, structure stable de la plaque de soupape et forte résistance aux chocs thermiques.

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